В числе кандидатов на роль возможной замены кремнию, использующегося сегодня для изготовления большинства интегральных микросхем, применяющихся главным образом в вычислительной технике, присутствуют не только углеродные нанотрубки и листы графена. Еще одним многообещающим материалом является алмаз, тем более, что исследователям уже удавалось создавать алмазные транзисторы – японские ученые, сотрудники NTT, смогли сконструировать транзистор с алмазным затвором толщиной всего сто нанометров. Совсем недавно появилась информация, что сотрудникам Университета Глазго удалось существенно улучшить технологию изготовления аналогичных наноструктур.

Начиная с 1947 года, года изобретения транзистора, подобные устройства изготовлялись либо на основе кремния – главным образом, вычислительная техника; либо арсенида галлия, более подходящего для радиочастотных ИС. Это обусловлено рядом достоинств и недостатков указанных полупроводниковых материалов, которых, ок ... Читать дальше »